图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 EMD4DXV6T1,5 |
| 文档 |
Wire Bond 01/Dec/2010 |
| 产品更改通知 | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 47k, 10k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | 47k |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率转换 | - |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-563, SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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